|
| 摘抄的关于开漏级的原理及应用 |
| 新闻出处：中电网论坛
发布时间： 2006-12-05 |
domi 发布于 2006-8-28 17:33:00
开漏电路特点及应用 |
|
在电路设计时我们常常遇到开漏（open drain）和开集（open collector）的概念。本人虽然在念书时就知道其基本的用法，而且在设计中并未遇的过问题。但是前两天有位同事向我问起了这个概念。我忽然觉得自己对其概念了解的并不系统。近日，忙里偷闲对其进行了下总结。
所谓开漏电路概念中提到的“漏”就是指MOS FET的漏极。同理，开集电路中的“集”就是指三极管的集电极。开漏电路就是指以MOS FET的漏极为输出的电路。一般的用法是会在漏极外部的电路添加上拉电阻。完整的开漏电路应该由开漏器件和开漏上拉电阻组成。如图1所示：
|
谁说女孩子不能做技术？？？
blueprince 发布于 2006-8-28 22:20:00
呵呵,不知道为什么,俺还是看不到你的图片
记住该记住的，忘记该忘记的。
pingyong 发布于 2006-10-29 21:50:00
如果是p沟的mos管od，可就要下拉了啊！！！
没有最高，只有更高
kuxi4969 发布于 2006-10-31 15:09:00
看不到1!！！！！！！！！！！！！！！！！
liuliang654 发布于 2006-12-5 13:20:00
看不到啊!
|
| 【关闭】 【打印】 |
|
|
|
|
