磁弹性薄膜中的应力阻抗效应有望在高灵敏应力/应变传感器中得到应用，这引起了人们的广泛研究兴趣。我们利用磁控溅射的方法在玻璃基片上制备了FeCoSiB薄膜和FeCoSiB/Cu/FeCoSiB多层膜，并在真空中退火以获得较好的磁弹性，接着在200kHz～10MHz范围内测试了薄膜的应力阻抗效应。结果表明，退火可增强磁弹性薄膜的应力阻抗效应，并且FeCoSiB/Cu/FeCoSiB多层薄膜比FeCoSiB薄膜具有更高的应力阻抗效应。