最高线性度、815MHz至1000MHz上变频和下变频SiGe混频器，适用于2.5G和3G基站应用 编者按：MAX2031是完全集成的上变频和下变频混频器，带有片上LO开关和缓冲器，适用于2.5G和3G基站应用。该器件可提供36dBm IIP3、27dBm IP1dB和7dB NF，变频损耗仅为7dB。MAX2031的其它关键测量指标同样出色。其内部集成有许多分立元件，因而可使电路板面积缩小2.5倍，元件数量减少33%。 SUNNYVALE，CA，2005年7月27日。Maxim Integrated Products (NASDAQ: MXIM)推出业界性能最佳、完全集成、815MHz至1000MHz SiGe无源混频器 MAX2031 。该单片IC可提供36dBm IIP3、27dBm IP1dB、7dB噪声系数以及仅为7dB的变频损耗。此外，MAX2031还具有卓越的2阶和3阶杂散抵制性能。MAX2031专为2.5G/3G无线基础结构应用而设计，并具有无与伦比的线性度、噪声性能和元件集成度。高线性度和低噪声系数对于增强的接收器和发送器性能至关重要，因此MAX2031非常适合于815MHz至1000MHz的WCDMA、GSM850/GSM900 EDGE、cdma2000－和iDEN®基站应用。该器件可提供DC至250MHz的宽泛IF频率范围，并具有960MHz至1180MHz的高端LO注入范围。MAX2029*支持325MHz至850MHz的LO频率，并针对低端LO注入结构进行了优化。 作为一个完整的SiGe上变频和下变频器，MAX2031内部集成了一个代表当前最高发展水平的双平衡混频器核 (带有一个LO放大器)、两个非平衡变压器、一个LO开关和许多分立元件(编者按：MAX2031在典型的发送和接收应用中分别作为上变频器和下变频器，参见典型工作电路)。这种高集成度使得该混频器的电路板面积可缩小2.5倍，分立元件的数量减少33%。MAX2031具有卓越的2RF-2LO性能，易于滤除邻近谐波分量，使滤波器的设计更简单、成本更低。 器件内部集成了SPDT LO开关，其开关时间小于50ns，LO1与LO2之间的隔离度为49dB，用于支持跳频功能。在整个温度、电源电压和输入功率变化范围内，内置的0dBm驱动LO缓冲器可提供±3dB的驱动变化范围，并获得稳定的增益、NF和IIP3性能。该器件具有卓越的增益稳定性，在工业级温度范围(-40°C至+85°C)内仅变化+0.2/-0.3dB。在整个温度范围内，IIP3性能同样出色，仅仅变化±0.3dB。 MAX2031采用紧凑的5mm x 5mm、20引脚薄型QFN封装，与MAX2039/MAX2041*系列1700MHz至2200MHz混频器引脚兼容。该系列无源上变频器和下变频器非常适合于两个无线基础结构频段共用同一个PC板布局的应用。提供无铅封装。起价为$6.15 (1000片起，美国离岸价)。

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