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半导体金属氧化物气敏材料敏感机理概述
新闻出处: 发布时间: 2007-11-15
作 者:常剑;蒋登高;詹自力;宋文会

关键词:综述;气敏机理;半导体金属氧化物



简介:

本文结合半导体金属氧化物的电学特性,从气体分子与半导体金属氧化物气敏材料相互作用的角度出发,对其气敏机理作一概述;由于半导体金属氧化物气敏机理与氧的存在密切相关,因而从表面吸附、催化氧化反应的角度研究气敏机理对研究反应机理、提高气敏性能、开发新型气敏材料和掺杂剂有着重要的指导意义。



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