意法半导体(ST)日前推出最新一代手机专用NOR闪存子系统。新的多片子系统在一个封装内整合了ST新开发的256Mbit和512Mbit的单片NOR闪存芯片，以及PSRAM(伪静态随机存取存储器)或LPSDRAM(小功率同步动态随机存取存储器)。最新NOR闪存子系统专为第三代手机应用设计，采用90nm工艺，代码执行速度快，价格低廉。

        新的闪存子系统采用多片封装(MCP)技术，含有多种芯片组合，包括：512Mbit闪存+64Mbit PSRAM(M36P0R9060);512Mbit闪存+128Mbit PSRAM(M36P0R9070);512Mbit闪存+128Mbit LPSDRAM(M39P0R9070)。此外，还有容量达1Gbit的三片叠装和基于ST最新开发的256MbitNOR闪存的多片封装产品。

        ST称，新的NOR闪存将存储性能提升到了一个新的水平，读取速率达到133MHz，比市场现有产品快2倍。此外，编程速率达0.5Mbps，比现有NOR闪存解决方案提高2倍。ST存储器产品部副总裁Marco Dallabora说：“我们新的NOR闪存芯片能够提高先进手机平台的代码执行速度，其0.5Mbps编程速率以及低功耗还支持手机上的高分辨率相机。”

        针对第三代多媒体手机的高容量、小尺寸、低功耗和高灵活性等特点，ST最新NOR闪存采用90nm光刻技术的同时，运用了经过验证的存储技术，例如，多电平单元(MLC)闪存和多区块体系结构。

        在封装方面，NOR闪存新品采用了一个单片小封装内集成不同类型存储器的整合方法，节省了电路板空间，提高了制造商产品可靠性。此外，ST认为，在小容量封装内组装超大容量的存储器是即将到来的第三代应用处理多媒体内容和快速连接互联网的基本要求。

        新产品系列所包含的存储器组合现已上市销售，采用BGA封装。其中，NOR闪存+PSRAM，采用8mm×11mm(ZAC)LFBGA107封装；NOR闪存+LPSDRAM，采用9mm×11mm(ZAD)xFBGA105封装。批量采购价如下：M36P0R9060单价12美元，M36P0R9070单价14美元，M39P0R9070单价13美元(以上价格仅供参考)。