虽然DRAM厂对第四季旺季需求还是抱持乐观看法，但是组装电脑市场（Clone Market）需求已经明显转弱，而随着DRAM厂端如三星、Hynix、力晶等不断释出未完整测试（UTT）DRAM或NAND快闪记忆体，现货价已开始松动下挫，十一月以来二五六Mb DDR现货均价跌幅接近五％，二Gb NAND晶片更重挫近一五％。

　  十一月开始进入电子产品销售旺季，但因模组厂或系统业者十月份已经备足一定DRAM或NAND晶片库存，所以十一月以来，补货需求已经不若十月初强劲，加上组装电脑市场买气也欲振乏力，现货市场买气退潮现象十分明显。

　  不过在市场供给端部份，DRAM厂新开出产能除了有效供应OEM厂需求外，也源源不绝地释出至现货市场中，如上周起国内DRAM厂如力晶等，就不断释出有效测试DRAM至市场中，因为价格不断被模组厂压低，目前UTT型二五六MbDDR价格已跌至四美元至四．一美元间，至于原厂DRAM颗粒同样因为三星、Hynix新产能陆续释出，以及受到UTT晶片价格下跌拖累，昨日现货均价已跌至四．五美元以下，十一月以来价格跌幅已逼近五％。

  　通路业者表示，DRAM供货量充足，价格上涨缺乏力道，同时低价UTT晶片不断释出冲击，DRAM现货均价下跌压力愈来愈大，虽然月初传出的三星调降合约价消息可能不实，但是却造成通路商将库存全数抛售，所以DRAM价格今年高点可能已过。

　  同样的情况也发生在NAND快闪记忆体市场。由于三星、东芝释出的NAND晶片合约价，较现货价低二美元至三美元，所以十月下旬合约客户大量采购，三星等业者也无多余晶片释出至现货市场，才造成NAND晶片缺货假象。当然十一月快闪记忆卡需求减弱，手中掌握合约价颗粒的模组厂或系统厂在现货市场中获利了结，三星本周一又大量释出十二寸厂新开出产能，所以二Gb NAND晶片现货价由月初的二十二．二美元，快速下跌至昨日的一九．四美元，跌幅接近一五％。

　  至于利基型SDRAM部份，受到Hynix本周出货量大增影响，六十四Mb SDRAM现货价再度面临下跌压力，并一度跌至一美元关卡。由于DVD录放影机、数位相机的需求并不强劲，Hynix的倒货动作又持续进行，业界已开始预估价位恐有跌到○．五美元变动成本的可能。