Aplus Flash Technology最近推出新的专门针对RFID应用的EEPROM IP。这项EEPROM IP已经由硅片验证过，采用0.35um 2P3M CMOS 技术。这是Aplus首次提出针对低电流低电压操作的RFID IP。

    “能够针对不断增长的RFID 市场提供IP内存解决方案，我们感到非常兴奋，因为我们有很多客户需要它。”plus Flash Technology总裁李武开先生说，  “目前Aplus的EEPROM IP能够满足当前较低频率的RFID规格之需求，同时我们正在开发能够进一步降低成本和提高性能，并且满足高频率需求的下一代EEPROM IP。”

    基于使用非接触式技术的要求，RFID的应用需要极低的电流消耗和操作电压。虽然RFID技术已经存在超过30年了，但是该技术在货品供应链中的使用在最近几年才达到惊人的增长)。  

    RFID已经应用于银行卡，零售供应链，安全及军事跟踪。为了确保其正确性以及更大的有效范围，对某些应用品来说，RFID芯片需要在极低的操作电压下读取和接受数据。资料保持力同时也是保持资料完整的关键性指针，RFID 标签会在不同的环境下经过多次读写。  Aplus RFID EEPROM IP采用一种传统的 2P3M CMOS工艺，该工艺技术已经经由硅片验证并且在多年量产的经验中都显示了很好的资料保存期。  

    Aplus RFID EEPROM IP当前可以提供低功耗操作，工作电压可以低到1.8V，并且Aplus正在开发下一代RFID EEPROM IP，，提供发射频率在2.4GHZ以及以上者低达1V的电压，这已是最高的RFID 操作频率。这项Aplus IP将针对那些需要更长读取距离的应用而开发，寄望在2005年第一季度推出1V工作电压的 RFID EEPROM IP。

    目前在RFID应用中，普遍采用四种频率（小于150KHz,13.56MHz,860-960MHz,和2.4GHz –5.8GHz）来检测不同范围的资料。Aplus的RFID EEPROM IP在读写操作时的低电流消耗有利于 RFID应用于两个标准的频率：150KHz和13.56MHz，并且在小于10cm和小于75cm距离分别能够检测到资料。在美国，如Walmart，Gap以及Harley Davidson等公司采用RFID 标签读取操作均在频率13.56MHz。希望把EEPROM嵌入到RFID IC中的客户就能经由Aplus的RFID EEPROM IP获得在电流消耗，芯片面积，读写速度以及写擦次数方面的最大的优势,并且还具有宽广的操作电压范围（1.8V到5.5V）。

    Aplus的RFID EEPROM IP* 性能:

    宽广的操作电压范围: 从1.8V到 5.5V

    低读取电流: 小于1.5uA

    低写入电流: 小于27uA

    快速写入时间: 小于10ms

    极小的芯片面积

    高持久性: 150万次写入/擦除周期

    工作温度范围: 0 - 85º

    10 年的资料保存期

    低功耗CMOS技术