IBM利用分子自组装现象，日前成功开发了制造半导体存储器元件的方法。

    该公司于美国日前宣布开发了一种制造半导体存储器元件的方法。而且不需使用在晶圆上曝光电路图形的光刻技术，还能直接沿用现有的半导体制造设备。由于不需成本昂贵的光刻等制造设备，还无需过多地改进制造工艺A，因此风险很小。自组装是指某种聚合物分子自然地聚集而形成规则结构的现象。能生成的物质与光刻等现有半导体制造方法相比，尺寸更小、密度更高、缺陷更少的元件。

    该公司使用现有半导体制造设备，并通过利用自组装现象，研制成了一种在直径200mm的硅晶圆上像闪存一样运行的纳米级结构。而用现有的方法无法制造出纳米级结晶存储器。如果利用自组装，就能够非常简单地制造出像闪存一样的常用半导体元件。对于采用自组装的制造方法的实用化，该公司认为3～5年后就能够达到试制水平。
    另外，IBM将在华盛顿特区举办的“IEEE International Electron Devices Meeting（IEDM）”国际学术会议上以“Low Voltage, Scalable Nanocrystal FLASH Memory Fabricated by Templated Self Assembly”（利用模块化自组装，制造低压、可扩展纳米级结晶闪存）为题介绍该方案。