注：国家自然科学基金资助项目（69974001）；国家科技部攀登计划资助项目（国科基字[1999]045）；安徽省自然科学基金资助项目（99043522）
摘要：分析V形槽静电超声传感器微气隙结构研究静电场不均匀性，用解拉普拉斯方程的方法解的单个V形槽面电荷密度。通过建立p/4角两平板电容器模型，提出V形槽静电传感器电容值的定量计算方法，得到与试验相接近的结果。