三星宣布已经开始了70nm工艺1GB大容量NAND闪存芯片的批量生产。

       三星的这种芯片被称为OneNAND，据称结合了NOR闪存的快速启动和高速速据读取特性与NAND的大容量和高速速据写入特性，稳定读取速度108Mb/s(传统闪存的4倍)，稳定写入速度10Mb/s，同步时钟频率83MHz，主要目的是取代传统硬盘存储，并面向数码相机，但不针对手机。

       三星自2003年以来就开始向市场推出OneNAND闪存，此前也已经展示过使用这种芯片的高速MMC记忆卡。

       三星对这种70nm工艺OneNAND芯片的规划是到2008年销售10亿美元，2010年销售15亿美元。