三星电子日前宣布，已开始采用80纳米技术批量生产512M DDR2 DRAM，在业界走在了众多厂家的前面。三星电子表示，依靠其80纳米制程生产工艺，可以将先前90纳米制程生产工艺的生产效率提高50％。

       三星电子DRAM产品营销总裁Tom Trill表示：“DDR2内存于2004年面市，目前正处于需求量最高的时期，我们采用80纳米制造技术能够让三星更加有效地满足今年DDR2市场所出现的需求高峰。”
三星电子表示，可以从90纳米制程生产工艺平稳过渡到80纳米制程的生产工艺，是因为所使用的许多基础工艺没有很大改变，只需对产品生产线进行一些升级即可。

       三星电子的技术人员表示，凹槽数组晶体管（RCAT）技术的发展推动了生产工艺向80纳米制程的跃迁。这种三维晶体管设计布局，极大地提高了数据存储器中的关键性部件的刷新率。凹槽数组晶体管技术也减少了存储单元的截面积，增加了单位硅片上所能安装的芯片个数，从而提高了工艺制程。

       根据半导体产业研究机构Gartner Dataquest的调查结果，2006年，DDR2存储器将占据整个动态随机读写存储器市场50％以上的比例。