日本瑞萨科技面向新一代高性能数字终端和高速通信设备，开发出了全新结构的SiP（系统级封装）技术。具体来说，就是能够以间隔为30μm的微型焊接凸起连接内置芯片，即叠层芯片（chip on chip，CoC）技术。CoC就是指将2枚芯片的电路面相对合在一起，使用排列间隔非常小的微小电极进行连接。由于能够以更短的布线长度在叠层芯片之间进行多点连接，因此便于提高芯片之间的数据传输速度。力争2006年第4季度达到实用水平。
瑞萨科技此次大体开发了3项关键技术。第一是在连接微小间隔焊接凸起时不使用焊剂，而采用无铅焊锡的高可靠性、低损伤性熔融焊接技术。焊剂是焊接辅助材料，其目的是去除焊锡表面的氧化膜，提高焊锡的附着性。不过，使用微小间隔焊接凸起时，过去一直存在着焊剂残留容易导致可靠性下降的问题。此次，瑞萨科技已经证实，在不使用焊剂的情况下能够以倒装方式实现每芯片10000万焊接凸起的多引脚连接。 第二是指将熔融的微小焊球以液滴状喷射出来，形成焊接凸起的焊锡供应技术，即微小熔融焊锡喷射法。利用此技术，不仅可取消过去在形成焊接凸起时必须使用的掩膜，而且还可混合使用尺寸不同的微小焊接凸起。 第三就是指，能够在外形尺寸和该公司老产品FC-BGA（flip chip ball grid array，倒装球栅阵列）相同的封装上集成多个利用上述技术以CoC方式连接的芯片。FC-BGA原本就具有数据传输速度快，多引脚连接和高散热的优点。在此基础上，可通过采用SiP方式增加内置芯片数量。此次开发的SiP组装过程分如下2个阶段进行。首先将通过形成微小焊接凸起将厚度降至50μm的子芯片与SoC等基础芯片以CoC方式连接起来。然后，利用和过去的FC-BGA相同的方法将配备子芯片的基础芯片倒装连接到底板上。 |
