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国巨宣布 推出3款功率强化型厚膜芯片电阻
新闻出处: 发布时间: 2007-11-16

       国巨4日宣布推出3款符合欧盟危害性物质限用指令规格的2512 2W、1206 1/2W、0805 1/4W功率强化型厚膜芯片电阻。

       国巨表示,0805 1/4W锁定手机应用,阻值最高可达100奥姆,相较于业界常见的10Ω提高10倍,为市场上0805功率最高的厚膜芯片电阻。

       国巨营销副总李伟正表示,可携式消费电子之产品整合度愈高、功能愈复杂,对功率增强型电阻需求愈高;有限空间的电源管理,要求同尺寸、但功率增强厚膜电阻。

       国巨的2512 2W、1206 1/2W主要应用于笔记型计算机、电源供应器等,目前已开始小量量产;而0805 1/4W则主要应用于3G手机及无线通讯市场,已针对主要客户开始送样,预计2006年第三季前量产。       2512 2W、1206 1/2W除了提升功率之外,更进一步将阻值提升,0805/1206的阻值高达100Ω,而国巨自行研发的2512 2W,阻值从1-150Ω。

       此3款电阻以陶瓷基板为核心结构,两端加入金属电极并以阻抗材质相连接,达到±100~200ppm/℃的温度系数,工作温度范围介于-55℃~+185℃之间,满足欧盟与北美RoHS的规范。

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