韩国海力士半导体(Hynix Semiconductor)预测，第一季NAND型快闪存储器(闪存)价格跌幅将超过25%，跌速大于该公司先前预期。

       但该公司司投资人关系部门主管James Kim表示，接下来几季的价格跌幅将会减缓，该公司并维持NAND价格2006全年跌幅约50%的预测。

       NAND型快闪存储器价格跌势，使存储器大厂的业绩前景受到打击，包括龙头厂商韩国三星电子。

       一名三星公司主管在3月稍早表示，该公司预期NAND型芯片价格第一季跌幅不会超过20%。

       James Kim亦称，海力士已调升3月的动态随机存取存储器(DRAM)合约价。该公司在2月及1月也有类似的调升举措。