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ST推出降低车用功率场效应 MOS晶体管电阻
新闻出处: 发布时间: 2007-11-16

       意法半导体日前针对汽车市场推出一个新的大电流功率场效应MOS晶体管,该产品采用ST最新优化的 STripFET? 专利技术,实现了最低的导通电阻。

       新产品 STD95N04 是一个40V的标准电平的DPAK产品,最大导通电阻RDS(on)6.5毫欧。 这个80A的产品是专门为DC-DC转换器、电机控制、电磁阀驱动器和ABS设计的。与采用传统的沟道技术制造的产品相比,新产品在价格和导通电阻性能上极具竞争力。新产品的典型RDS(on)在5毫欧区间内,能够满足标准阈压的驱动要求。

       STD95N04符合汽车电工理事会组件技术委员会针对汽车环境用组件制定的AEC Q101分立器件应力测试标准。该组件最大工作温度175℃ ,100%通过雪崩测试。

       ST新的STripFET技术以密度大幅度提高的单元为基础,导通电阻和功耗比上一代技术更低,占用的硅片面积更少。正在开发的其它的功率场效应MOS晶体管将采用相同的技术,以满足DPAK和 D2PAK 的需求。

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