门关键词: U形磁芯 防盗报警器原理 smc电磁阀工作原理 低压瓷介电容器(小于500V) 多普达d600蓝牙耳机 高压电容放电线圈 片式低频连接器
IC库存(8958万) PDF资料(329万) IC价格 IC求购 资讯 技术资料
电子元器件搜索:
维库电子市场网是知名的电子元器件交易网站,为电子生产企业提供IC库存和技术资料查询服务。
三星电子开发出全球最高速的512MB GDDR4 DRAM
新闻出处: 发布时间: 2007-11-16

       三星电子日前表示,己采用80奈米制程,开发出最高速度达每秒12.8GB的高性能512MB GDDR4 DRAM,只要1秒即可处理6部DVD级的电影。该产品将于下个月正式量产供货,三星电子计画藉此掌握次世代高性能的GDDR4约80%的早期市场。
       三星电子自2000年首先开发出GDDR晶片以来,陆续于2002年、2003年、2005年分别领先开发出GDDR2、GDDR3、GDDR4晶片,目前在GDDR晶片市场的占有率约达50%。

关闭】 【打印
 
相关专题
 
友情链接:
© 2007 电子元件网 网站地图