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| 产出量大增 DRAM ASP走势稳定 |
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发布时间： 2007-11-16 |
力晶（5346）总经理谢再居25日于记者会中表示，他个人对于2006年全球DRAM产业景气仍持正面看法，因2006年所有国际DRAM大厂新增产能均转移至非标准型DRAM，至于新增标准型DRAM产能大多来自台系DRAM厂，因此标准型DRAM市场位元成长率（Bit Growth）应较往年缩水，因此整体DRAM平均销售单价（ASP）走势应相当稳定。
市场分析师推估，如就2006年力晶产能的位元成长率，再加上平均销售单价来计算，力晶营收规模将上看新台币1,000亿元，规模之大可说已直逼晶圆代工二哥联电（2303）。
谢再居指出，对于2006年全球DRAM市场景气，他认为全年平均销售单价走势大至上可区分为：2006年第一季平均销售单价将较2005年第四季呈现成长趋势；到了第二季虽说进入市场需求淡季，但估计销售单价应可望与第一季持平；第三季则再度因市场需求旺季，让单价重启涨势；进入第四季后才有可能出现些微回跌。
谢再居认为全年DRAM市场应相对乐观，最大原因则在于全球DRAM市场的位元成长率将会较过去3年的平均约42～48％还要低，然市场估计，2006年DRAM整体市场的位元成长率很有可能连40％都不到，但整体DRAM市场需求的位元成长率却未见有任何缩水，因此初步推出2006年DRAM市场将会是一个相当不错一年。
市场分析师估计，如2006年平均单价如可维持在5.5～6美元左右，再加上力晶产出量将较2005年成长65％左右来推算，力晶2006年全年营收将有机会上看1,000亿元大关，力晶可望正式挤身台湾千亿营收俱乐部之一。
力晶表示，由于2005年第四季时整体市场对于DDRII的态度并不明显，因此力晶也不太敢投入太多DDRII产能，所以到第一季时力晶DDRII产能大约仅占力晶总产出15％上下。
不过到了2006年3月左右，力晶90奈米制程产出量将可正式经济转换（cross over）先前的0.10微米制程技术，因此力晶将会快速加码投入90奈米制程产能，而新增部份将全数用于投入DDRII，第二季DDRII将可望占力晶总产能超过5成，DDRII成长幅度足足超过3倍以上。
目前初步估算，力晶2006年底产能大约可达到10万片，也就是12A的4万片，再加上12B的4万片，以及新购入旺宏（2337）12寸厂约2万片产能。不过力晶进一步强调，虽说较2005年产能增加率达到65％左右，整体产出量颗粒数将达到10亿颗（256MB计算），不过力晶2006年大多数新增产能均会用于NAND型快闪记忆体（Flash）产品，因此并不会造成整体DRAM产业增加过多DRAM产能，因此2006年DRAM产业景气可说相当不错。 |
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