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| 瑞萨科技向EMT授权无电容器双晶体管RAM |
| 新闻出处：中国电子元器件网
发布时间： 2007-11-15 |
全球领先的微控制器厂商瑞萨科技公司与全球领先的嵌入式存储器知识产权厂商Emerging Memory Technologies日前宣布，瑞萨已将无电容器双的晶体管RAM技术授权给EMT。EMT将开发并将基于TTRAM技术的存储器知识产权扩展到新兴的硅绝缘体CMOS市场。瑞萨作为主流嵌入式SOI存储器知识产权技术的TTRAM技术也将得到扩展。
瑞萨的TTRAM技术可在标准SOI-CMOS技术条件下实现动态的存储单元结构。这个存储单元仅由两个串行连接的晶体管组成，而且无需使用传统存储单元中的金属绝缘层金属电容器。它也无需采用用于电容器特殊掩模组的派生CMOS工艺，而且可以简化片上参考电压源。其存储单元结构在65nm或更高工艺技术条件下仍然可以实现。
瑞萨科技公司系统核心技术部副总经理Kazutami Arimoto博士表示：“我们非常高兴EMT选择了我们的TTRAM技术来开发他们的大容量系统级芯片存储器知识产权。用户需要大存储容量的解决方案，同时又不想在面积、性能和功耗方面做出设计妥协。在EMT被授权基于存储器知识产权的TTRAM技术之后，嵌入存储器用户将很快能够受益于大存储容量、经济有效的解决方案，而这在从前只能采用传统的CMOS工艺实现。我们希望，通过将我们的TTRAM技术与EMT优异的存储器编译技术结合在一起，进一步促进SOI存储器应用的增长。”
Emerging Memory Technologies公司总裁和首席执行官Sreedhar Natarajan表示：“SOI CMOS正在从高性能微处理器领域扩展到广阔的CMOS半导体市场。我们认为，世界一流的存储器设计能力与瑞萨成功的SOI无电容器TTRAM技术的结合，将有助于创造出一种采用SOI CMOS的新型半导体解决方案。”
通过在TTRAM技术方面的合作，两家公司将为他们的用户提供一种大存储容量的存储器解决方案，并对存储器知识产权技术的开发做出贡献。 |
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