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| JEITA报告会：新材料/新原理的元件驱逐CMOS的想法... |
| 新闻出处：电子生产设备资讯网
发布时间： 2007-11-15 |
“新材料/新原理器件不会取代现有的CMOS，重要的是新元件与CMOS的融合”。在2007年7月13日举行的“JEITA电子材料及元件技术专门委员会平成18年度业务成果报告会”上，东京大学生产技术研究所教授平本俊郎在其担任委员长的“纳米级元件技术专门委员会”的成果报告中这样写道。
该委员会的目的是宏观掌握尺寸为数nm的元件技术发展动向。平本在委员会成立时，首先制定了技术发展蓝图的草案。
基于晶体管的信息处理元件（逻辑LSI）的发展蓝图草案的特点是提出了基于CMOS的技术将继续使用到2020年左右的设想。预定于2020年左右达到实用水平的碳纳米管、自形成等新一代技术被定位于应变硅、High-k材料等现有CMOS的延长线上。“如果有人说碳纳米管是硅CMOS的延长，（碳纳米管研究人员）大多会一脸不爽。因为这听起来缺乏梦想”（平本）。确实，碳纳米管与使用硅的现有CMOS是不同的技术。但使用碳纳米管的晶体管，则需要采用CMOS电路。NEC正在进行这样的研究，平本对此给予了很高的评价。
最初的发展蓝图草案中设想碳纳米管和自形成之后，将出现基于电荷且不基于CMOS的单电子及量子元件，之后在2035年左右，出现不使用电荷的自旋和生物元件。但是，随着讨论的进行，出现了发展蓝图草案对CMOS寿命预期过短的疑问。也就是说，“CMOS早晚将不再使用”这一前提本身是错误的。
为此，委员会把发展蓝图草案修改为了CMOS将继续使用到21世纪30年代。其设想是，除了发展碳纳米管等CMOS延长技术，通过把各种新元件融入CMOS，CMOS本身将不会消失。比方说，纳米开关的工作原理与CMOS不同，对于通过把纳米开关融入基本由CMOS组成的电路的一部分中，实现可重构电路的研究目前正在进行当中。这种CMOS将通过与新元件融合不断进化的设想，成为了委员会的最终结论。
另外，委员会还讨论了内存和布线技术的发展蓝图。内存方面，由于采用2值时可以使用任何材料，因此与逻辑LSI相比，使用新材料的趋势更猛。但是，在读取/写入、地址计算等周边电路中，CMOS估计还将继续使用。布线技术方面，预计碳纳米管的自形成和光布线将分别于2010年左右和2015年左右亮相。 |
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