东芝材料在日前于日本举办的“Techno-Frontier 2006”展会上，展出了高0.3mm的电感器。设想的应用方式是将电感器层叠到便携终端升降压DC-DC转换器IC的硅芯片上，内置于封装中。备有连接硅芯片的焊盘，提出以球焊方式连接电感器和硅芯片的方法。此外，由于厚度减小，还有可能具备柔性。如将电感器内置于封装中，有望通过吸收模制树脂的热膨胀系数，防止受热后出现裂纹等。实用化时间等尚未确定。

       据介绍，此款高0.3mm的电感器额定电流在1A～2A左右。现有手机通常在500～700mA之间。DC-DC转换器IC的驱动电压如降至1V左右，就需要1A以上的额定电流。

       此次的产品通过改进覆盖线圈的磁性材料，降低了在高频区的损耗。10MHz下的Q值在25以上。目前，普通铁氧体材料虽说在1MHz下Q值高达20～30，但10MHz下的Q值则只有5～10。开关频率为4～5MHz的DC-DC转换器IC现已开始部分上市。该公司预测，今后随着频率的进一步提高，2009年～2010年前后10MHz产品将进入实用阶段。