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东芝半导体再扩充NAND NAND现货报价小回档 DRAM合约价仍有5%涨幅
新闻出处: 发布时间: 2007-11-16
       继美光半导体宣布要再扩充快闪记忆体的产能,全球第二大的东芝半导体也宣布跟进,世界前三大记忆体厂持续降低DRAM的产出比重,使得台湾业者持续受惠。
       世界第二季快闪记忆体制造商东芝半导体宣布,要在明年起,加设四个厂房,扩大投资快闪记忆体的产能,东芝评估,到2010年前,东芝的NANDFLASH全球市占率将可望达到四成,企图从三星手中抢回哥的宝座。
       世界前三大记忆体厂,看好NANDFLASH随着手持式消费电子,带动NANDFLASH需求大增 ,加上 获利率高过DRAM,才会 不约而同增加快闪记忆体的投资比重,相对减少DRAM的产出,这也代表,DRAM短期内不会再有供过于求的问题,专注在DRAM的国内业者力晶、茂德南科与华亚科技,就能一直受惠缺货效益,业绩从今年初开始一路畅旺至少二年以上。
       目前 DRAM报价仍维持现货高于合约价的多头走势,不过 现货报价在前两周投机气氛帮助下大涨二成,顺利站上七美元的天价之后,本周的首日报价由于涨幅过高,目前已出现小幅的调整,另外 合约价则是预期在缺货状况加遽,九月份下旬将再呈现调涨2-5%的格局。
       至于 快闪记忆体现货价则是涨跌互见的情况,4G与16G顺利调涨,2G与8G的颗粒报价出现小跌状况。
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