门关键词: 行程开关 二手jbl音箱 静磁栅位移传感器 控制器原理图 西蒙开关插座 rc振荡器电路图 汽车音响连接器
IC库存(8958万) PDF资料(329万) IC价格 IC求购 资讯 技术资料
电子元器件搜索:
维库电子市场网是知名的电子元器件交易网站,为电子生产企业提供IC库存和技术资料查询服务。
三星、现代高管参与操纵内存价格或入狱
新闻出处: 发布时间: 2007-11-16

       腾讯科技讯 北京时间10月20日 据海外媒体的最新报道,美国司法部周四表示,作为美国政府对内存芯片操纵价格案调查的一部分,三星电子高管Kim II Ung、Young Bae Rha和现代半导体高管加里·斯文森已遭到指控。
       美国司法部在周四的声明中称,旧金山联邦大陪审团已在本周三宣布了对三星电子和现代半导体两家公司3名高管的指控。控诉指出,Kim II Ung、Young Bae Rha和加里·斯文森三人都曾参与了2001年至2002年期间的操纵芯片价格事件。当时,Kim II Ung为三星内存芯片部门市场营销副总裁;Young Bae Rha为三星内存部门销售与营销副总裁。上述两人同为韩国公民。加里·斯文森当时曾任现代半导体美国分公司内存销售副总裁,斯文森是美国公民。
       今年年初,4名三星电子高管和4名现代半导体高管被认定参与操纵内存芯片价格,上述8人被判入狱5个月至8个月不等。2004年,4名英飞凌高管被认定参与操纵内存芯片价格,他们被判入狱4个月至6个月不等。目前,已有4家芯片制造商的16名高管因操纵内存芯片价格被判入狱。
       迄今为止,美国司法部在对1999年--2002年期间的内存市场价格进行调查之后,已向包括三星电子、Elpida、英飞凌和现代半导体开出了超过7.31亿美元的巨额罚单。美国司法部表示,由于上述厂家在1999年--2002年同谋固定内存芯片市场售价,导致戴尔、康柏、惠普、苹果电脑和IBM等诸多美国PC制造商受到了不同程度的损失。(无忌)

关闭】 【打印
 
相关专题
 
友情链接:
© 2007 电子元件网 网站地图