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| 富士通研究所印刷电路板高容量电容器嵌入技术 |
| 新闻出处：电子生产设备资讯网
发布时间： 2007-11-15 |
富士通研究所日前开发成功了在树脂材质印刷电路板中嵌入相对电容率高达400的BaTiO3膜的技术。能够形成容量密度为300nF/cm2的去耦电容器（Decoupling Capacitor）。“过去的技术最高也就是40nF/cm2”（富士通研究所）。除电容器外，还可应用于滤波器和天线等元件。 在树脂底板上集成电容器等功能的技术，过去除在服务器底板上应用以外，部分厂商已经将其应用于手机中。这些技术通过在底板中内置薄膜状材料，或将膏状材料印上以后进行烧结，来形成电容器。 将混入气体的粉末喷射到底板上 富士通研究所使用将粉末状材料混入气体后从喷嘴喷射的“粉尘沉积（AD）”法，形成陶瓷膜。AD法是日本产业技术综合研究所开发的技术。底板置于减压至5Pa左右的真空腔中。
将直径数nm的BaTiO3粉末随同氧气以200m/s的速度喷射到底板上，在底板上形成BaTiO3膜，成膜速度为1μm/分。具体而言，就是先固定好喷嘴，然后以数mm/s的速度上下左右移动底板，在底板的所有面上进行成膜。喷射到底板上的粉末只是变形后而紧密地附着在底板上，因此能够在底板上形成成份与所用粉末完全相同的膜。在形成铜布线的整个底板上，形成膜厚0.5μm～100μm的BaTiO3膜后，通过蚀刻形成电路。反复实施这些工序，就能实现多层化。 富士通研究所在探讨BaTiO3以外的材料的同时，还将通过提高膜厚的均匀性进行改进，力争2007年3月底达到实用水平。 此次的研究成果将在2004年8月9日于法国开幕的“International Conference on Crystal Growth（ICCC）”上发表。 |
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